Silvaco TCAD 2018破解版是一款功能强大的专业模拟半导体器件软件，使用旨在为用户提供完善的套件解决方案，它包括多个不同的产品，拥有不同的功能，相互协调相互整合，能够准确的在过程中模拟工具的物理特性，3D过程模拟器能够准确预测3D拓扑和3D掺杂分布，自动网格划分和自适应网格细化。TCAD工具最重要的用途之一是探索新设备技术，其中执行许多探索性仿真，以使设备设计者更好地理解给定技术的可能益处和缺点。该用例需要顺序模拟，并在其间进行一些分析。为了有用，必须在分配用于勘探的时间内运行许多模拟循环，高度优先考虑最小化模拟运行时间。目前，全流标准CMOS仿真通常通过1D和2D仿真的组合来完成。TCAD模拟所需的大多数信息可以从简化中提取，可以在深度上均匀地处理设备（即2D模拟）。然而，过程模拟的最终目标是准确预测活性掺杂剂分布，应力分布和器件几何形状。缩小器件尺寸对掺杂剂和应力分布的准确性提出了越来越高的要求，因此为每一代器件添加了新的工艺模型以满足新的精度要求。为了满足这些日益严格的要求，Silvaco开发了Victory Process，这是一种全新的一维，二维和基于掩模的3D工艺和压力模拟器，可将2D Standford工具的领先技术遗产扩展到下一代工艺仿真，包括铸造厂和无晶圆厂设计公司。高级结构编辑模式或电池模式，三维结构的快速原打字，的过程模拟器模式，全功能，基于水平集过程模拟器，更适合于详细过程基于模拟，如复杂的基于物理的蚀刻，沉积，再沉积的离子束铣削的实验和应力依赖性氧化分析。在半导体工厂中进行真正的实验既耗时又昂贵。无论何时耗费时间，昂贵，危险或难以进行真实实验，预测模拟都是有用的。在一些真实世界的实验中替代模拟实验通常更具成本效益和时间效率。通过快速实现多次运行和工艺设计优化，过程模拟的速度和准确性开始为技术人员节省大量时间和金钱。本次带来最新破解版，有需要的朋友不要错过了！
安装破解教程
1、在本站下载并解压，如图所示，得到19571-tcad-2018-00-win.exe安装程序和crack破解文件夹
2、双击 19571-tcad-2018-00-win.exe运行，如图所示，勾选安装服务选项，并选择软件安装路径，点击next
3、如图所示，
输入任何密码，为将来的管理任务保留此密码非常重要。
4、如图所示，完成后按确定退出SFLM设置
5、软件安装完成，点击finish退出向导，提示需要重启电脑
5、单击开始>所有程序> SFLM>停止服务器
6、以安全模式1重新启动计算机
6、将位于许可证文件夹中的文件rpc.sflmserverd.exe复制到安装目录下，默认路径为C:\sedatools\lib\rpc.sflmserverd\8.2.12.R\x86-nt，点击替换目标中的文件
7、在正常模式下重新启动计算机。单击开始>所有程序> SFLM>启动服务器
8、打开您的Internet浏览器并键入：http：//127.0.0.1：3162或等效键入http：// <servername>：3162
其中<servername>是您的PC的名称。如图所示，输入您之前输入的密码，点击login
9、如图所示，点击Register Online 按钮
10、输入您的联系信息（您可以输入虚假信息），然后单击next
11、复制您收到的代码（在红色框标记的位置，您将获得不同的代码）。
12、双击许可证文件夹中提供的文件Silvaco.lic。
13、将服务器“代码名称”粘贴到图中所示的位置
14、保存新的许可证文件。打开你的互联网浏览器; 键入：http：//127.0.0.1：316 =或等效键入http：// <servername>：3162其中<servername>是您的PC的名称。点击“安装新许可”
15、中间需要输入您的密码。 最后单击“安装保存的文件”
16、单击“浏览”，找到我们刚才保存的修改后的许可证文件
17、如果安装成功，您将收到类似于以下内容的消息：
18、单击“完成”，现在按“Show Active Licenses”，您应该找到这样的长列表
19、退出浏览器。恭喜！ 安装完成。
20、要运行主程序，请单击开始>所有程序> S.EDA工具> DecBuild
21、请注意，要使程序正常工作，您需要先更改工作目录。 单击：编辑>首选项
22、从“工作目录”选项卡中，将路径更改为显示的路径或任何其他现有路径。
23、要查看示例，请单击菜单栏中的“示例”>“Athena示例”。 然后选择任何一个示例，如下所示：
24、单击绿色播放按钮。你有一个MOS晶体管！
软件功能
一、过程模拟3D
3D过程模拟器 是一种通用布局驱动的1D，2D和3D过程模拟器，包括蚀刻和沉积，植入，扩散和氧化模拟功能。
1、布局驱动的3D过程模拟器
胜利过程是一种通用的一维，二维和布局驱动的3D过程模拟器，适用于以下应用：
蚀刻和沉积：
使用几何模型进行快速结构原型设计
用物理模型进行详细的工艺步骤分析
植入：
具有非常快速的分析模型
具有非常准确的蒙特卡罗模型
退火：
全面的掺杂扩散模型
具有氧化模型的层次结构
应力模拟：
压力工程的压力历史
2、特征
快速3D结构原型设计功能可以对特定的处理问题进行深入的物理分析
全套扩散模型：Fermi，fullcpl，单对和五流
应力分析的物理氧化模拟
极其准确和快速的蒙特卡罗种植体模拟
蒙特卡罗注入，扩散，氧化和物理蚀刻和沉积的时间关键操作的高效多线程
用于物理沉积和蚀刻的复杂多粒子通量模型
与基材重新定位
用粒子反射
开放式架构允许轻松引入和修改客户特定的物理模型
与3D设备模拟器的无缝链接，包括结构镜像，自适应掺杂细化和电极规格
易于学习，功能强大的调试模式和用户友好的SUPREM类语法
雅典娜兼容性
也可以在1D和2D中用作快速校准平台
从1D，2D和3D模式自动切换
在模拟器输入板中生成参数化布局
应力模拟，包括外部和内部应力，晶格和热失配，掺杂和应力源层
基于物理的光刻模拟器，用于逼真的光刻胶掩模形状
3、优点
胜利过程允许优化现有过程并提供预测缩放行为
增加对新技术挑战的理解
通过模拟替换实验，减少掩模和原型制造代工
通过在芯片之前创建基于虚拟过程的PDK，缩短无晶圆厂的上市时间
4、应用
前端（FEOL）：
高级CMOS（FinFET，FDSOI），显示器（TFT，LED，OLED），功率（硅，SiC，GaN），光学（CIS，太阳能电池，激光）
中端（MEOL）：
磁头，STT-MR，RRAM
后端（BEOL）：
触摸屏，LCD，TFT
二、过程模拟2D
过程模拟框架。 在Silvaco TCAD交互式工具提供的用户友好环境中集成了多个过程模拟模块。
1、通用1D，2D过程模拟器
Athena是一款通用的一维2D过程模拟器，适用于以下应用：
蚀刻和沉积：
使用几何模型进行快速结构原型设计
用物理模型进行详细的工艺步骤分析
植入：
具有非常快速的分析模型
具有非常准确的蒙特卡罗模型
退火：
与兴奋剂扩散模型的等级
具有氧化和硅化模型
应力模拟：
压力工程的压力历史
2、特征
全套扩散模型：Fick，Fermi，two.dim，full.cpl
应力分析的物理氧化模拟
极其准确和快速的多线程蒙特卡罗种植体模拟
与2D设备模拟器的无缝链接，包括结构镜像和电极规格
易于学习，功能强大的调试模式和用户友好的SUPREM类语法
也可作为快速校准平台在1D中运行
自动从1D切换到2D模式
应力模拟，包括内在，掺杂，晶格和热失配
基于物理的光刻模拟器，用于逼真的光刻胶掩模形状
3、优点
允许优化现有流程并提供预测性扩展行为
解决了新技术的挑战
通过快速准确的模拟替换昂贵且耗时的实验，减少掩模和原型制造成本
通过在芯片之前创建基于虚拟过程的PDK，缩短无晶圆厂房的上市时间
4、应用
前端（FEOL）到后端（BEOL）应用程序，包括：
高级CMOS
所以我
TFT
LED
OLED
功率（硅，SiC，GaN）
光学（CIS，太阳能电池，激光）
三、3D设备模拟器
Victory Device™使设备技术工程师能够模拟半导体器件的电学，光学，化学和热学行为。Victory Device提供基于物理的，易于使用，模块化和可扩展的平台，用于分析2维和3维硅，二元，三元和四元材料设备的DC，AC和时域响应。Victory Device是下一代2D和3D设备模拟器，它使用先进的四面体网格引擎来快速准确地模拟复杂的3D几何体。Victory Device的功能允许对各种技术进行半导体器件的表征和优化。
1、介绍
为了实现纳米级器件几何结构和未来技术节点，需要能够集成不同方法，处理不同半导体材料以及计算电子，化学，热传输和光学性质的新一代器件仿真工具。设备仿真可帮助用户理解和描述设备中的物理过程，并可以可靠地预测下一代设备的行为。器件模拟对于新型器件结构的预测参数分析非常有用。二维和三维建模和仿真过程可帮助用户更好地了解新设备和当前设备的属性和行为，有助于提高可靠性和可扩展性，同时还有助于提高开发速度，降低风险和不确定性。
2、特征
通用2D / 3D设备模拟器
四面体网格，用于精确的三维几何表示
共形Delaunay网格的Voronoi离散化
高级物理模型，具有用户可定制的硅和复合材料材料数据库
应力依赖的移动性和带隙模型
使用C-Interpreter或动态链接库的高度可定制的物理模型
DC，AC和瞬态分析
漂移 - 扩散和能量平衡传输方程
自热模拟自热效应，包括发热，热流，晶格加热，散热片和温度相关的材料参数
模拟电化学反应和运输任意数量化学物质的方法
高级多线程数值求解器库，支持分布式计算
量子修正和隧道模型
射线追踪和FDTD光学方法
辐射效应包括单事件紊乱（SEU），总剂量和剂量率
MixedMode电路/器件仿真
64位，80位，128位，160位，256位和320位精度
地图集兼容
Silvaco的安全加密技术可最大限度地保护客户和第三方知识产权
3、优点
先进半导体器件的电学，化学，热学和光学表征允许器件性能优化
了解当前技术的挑战可缩短产品开发时间
探索下一代设备的新设备技术
4、应用
功率：
Victory Device的功能允许功率器件的电气和热性能，如功率MOS，LDMOS，SOI，晶闸管和IGBT。Victory Device使用先进的3D Delaunay网格，相应的离散化和扩展精度数值，可以稳定，精确地模拟SiC和GaN等宽带隙材料。这些器件还可以嵌入电路，并通过内置的SPICE电路仿真器进行仿真。
高级CMOS：
热载流子，应力和量子校正以及隧穿模型允许模拟高级CMOS器件，如FinFET和FDSOI。
使用3D完全非结构化四面体网格模拟该3D FinFET。网格是完全自动化的，包括对掺杂和界面的改进。
复合半导体:
支持各种复合材料，如SiGe，GaAs，AlGaAs，InP，SiC，GaN，AlGaN和InGaN，可用于表征复杂的化合物半导体器件。
显示：
Victory Device对先进缺陷模型的支持允许表征薄膜器件。
光电:
可以使用胜利装置模拟诸如太阳能电池和CMOS图像传感器的装置的光电响应。光线跟踪和FDTD光学方法都可用。
显示在暗和照明条件下CMOS图像传感器的瞬态响应的3D过程和器件模拟
辐射:
胜利装置包含先进的辐射模型。可以在稳态，交流和瞬态模拟单事件紊乱（SEU），单事件倦怠（SEB），总剂量和剂量率等影响。
化学:
Victory Device可以使用冷冻，平衡或瞬态化学模拟电化学效应，包括反应和传输。可以使用自然且易于阅读的语法定义任意数量的化学物质和反应。该设施可用于研究性能退化，模拟复杂的电荷捕获机制，以及模拟原子种类的电荷传输，以及研究新型器件如CBRAM和ReRAM的行为。
四、Atlas Device 3D
Device 3D ™是基于物理的3D器件模拟器，适用于任何器件类型，包括当今使用的常用半导体材料的材料属性。可以与半导体方程一致地模拟的物理现象包括光子吸收，光子发射，体和界面陷阱，磁场，自加热，电离辐射撞击，热载流子和隧道效应。这允许模拟诸如太阳能电池，CMOS传感器，LED，TFT，EPROM，侵蚀性技术CMOS和功率器件之类的器件。Device 3D使用简单，直观，灵活的语法和运行时环境，以及出色的2D和3D可视化工具，与这款功能强大的产品相得益彰。
1、纳米级设备
在积极的技术节点上的Fin FET，纳米线FET和标准FET都可以使用Device 3D进行仿真。
2、Fin FET
使用器件3D语法直接创建Fin FET示例，使用漂移扩散和Bohm Quantum Potential 3D模型显示掺杂电子分布和IV特性。
3、纳米线FET
量子建模能力的最新成员使得能够模拟量子线装置中的强量子限制效应。为了模拟量子限制的影响，Quantum 3D允许1D或任意形状2D薛定谔方程和3D泊松方程的自洽解。
4、积极的几何50nm MOSFET
在此示例中，使用Victory Process创建了50nm MOSFET结构。Victory Process是一个过程模拟器，允许在任意形状掩模布局驱动的3D过程模拟之后创建Device 3D兼容结构。
掩模组，工艺模拟形状，转换后的器件3D结构和电气特性如下所示。
5、量子阱分析
在3D量子器件中可以分析束缚态和波函数。这里，示出了对单个量子阱和三量子阱设计的分析作为示例。
6、内存设备
热载流子注入和隧穿模型允许将电荷注入浮动栅极，这是模拟存储器件所必需的。EPROM示例如下所示。
7、光电
光线跟踪，光学吸收和光学产生的载流子与所有其他半导体方程式自我一致地解决，允许模拟光吸收器件，例如光电二极管和CMOS传感器。光子产生方程还允许模拟诸如发光二极管（LED）的光学发射装置。
8、薄膜晶体管
薄膜晶体管（TFT）的电特性主要由体积和表面陷阱的存在决定。在器件3D中，这些缺陷可以被描述为整个带隙中的连续缺陷，或者可以单独指定。这些器件制造的绝缘基板（通常是玻璃）通常是不良的热导体。自加热效应的附加建模通常会对器件电气特性产生相当大的影响。
9、电力设备
了解功率器件的操作是3D TCAD器件建模的出色应用。功率器件，例如晶闸管和三端双向可控硅开关元件等，通常具有由半导体现象支配的电特性，该半导体现象发生在器件的体硅深处，难以直接用测量探测。3D TCAD仿真可以准确分析整个器件的整个过程以及开关瞬态期间的任何时刻等。下面是UMOS HexFET仿真的示例。
10、添加外部电路元件
通常使用其他连接的无源负载元件对功率器件进行测试和表征。这里测试双极晶体管，其端子上连接有集总元件。
11、自热
在正常操作期间，许多功率器件显着升温。模拟自热效应可以检测设计中可能存在的热点。这里使用一个简单的电阻来演示加热效果。可以为任意设备建模自加热效果。
12、Atlas 3D模块
千兆3D：
3D非等温设备模拟器。Giga 3D模块通过将自加热效果结合到器件模拟中来扩展器件3D。它包括热源，散热器，热容量和热传导的模型。在适当的情况下，物理和模型参数变得依赖于局部晶格温度，允许半导体器件方程与晶格温度之间的自洽耦合。
夜光3D：
3D光电设备模拟器。Luminous 3D是一种先进的模拟器，专门用于分析三维非平面半导体器件的光学响应。
磁3D：
3D磁设备模拟器。磁性3D模块使Atlas设备模拟器能够将外部施加的磁场的影响结合到设备行为上。通过增加洛伦兹力来改变电荷载流子运动的动力学。该力与载流子速度和施加的磁通密度矢量的矢量积成比例。磁3D模块允许计算随后的电流变化和潜在分布。
量子3D：
量子力学效应的三维仿真模型。Quantum 3D提供了一组模型，用于模拟半导体器件中载流子的量子限制和量子传输的各种影响。薛定谔 - 泊松求解器允许计算束缚态能量和相关的载波函数，与静电势一致。薛定谔解算器可以与非平衡格林函数（NEGF）方法相结合，以模拟具有强横向约束的3D装置中的弹道量子传输。
LED 3D：
3D发光二极管模拟器。LED 3D是用于模拟和分析发光二极管的模块。LED 3D集成在Atlas框架中，可以模拟3D发光二极管的电学，光学和热学行为。
五、互动工具
一套前后处理工具，为Silvaco的一维，二维和三维TCAD模拟器提供基于GUI的交互式前后处理服务。
1、前后处理工具
该互动工具是，要Silvaco功能的1D，2D和3D TCAD仿真器提供交互式的基于GUI的前处理和后处理服务的应用程序套件。交互式工具套件中的工具完全集成，为用户提供了一个舒适的环境，可以在其中执行所有TCAD模拟。
2、主要特点：
易于使用的GUI界面
强大的绘图工具，针对TCAD模拟
具有自动优化器的交互式运行时环境
自动连接不同的掩码布局和不同的模拟器
强大的提取语言允许客观测量结果，例如氧化物厚度或Vt
3、DeckBuild
DeckBuildDeckBuild是一个交互式运行时和输入文件开发环境，其中所有Silvaco的TCAD和其他几种Silvaco产品都可以运行。
4、MaskViews
MaskViewsMaskViews是一个简单易用但功能强大的布局编辑器，可以读取，编写，创建和编辑GDS2或Silvaco布局格式的布局文件。MaskViews具有众多功能，可将其紧密集成到Silvaco的工艺和光刻工具以及Silvaco的3D寄生产品中
5、TonyPlot
TonyPlotTonyPlot是一个功能强大的工具，旨在可视化TCAD 1D和2D结构。TonyPlot提供可视化和图形功能，如平移，缩放，视图，标签和多个绘图支持。
6、DevEdit
DevEditDevEdit可用于从头创建设备或重新网格化或编辑现有设备。DevEdit创建标准的Silvaco结构，可轻松集成到Silvaco 2D或3D模拟器和其他支持工具中。
7、TonyPlot 3D
TonyPlot 3DTonyPlot 3D是一个功能强大的工具，旨在可视化TCAD 3D结构。TonyPlot3D提供可视化和图形功能，可以将平面导出到TonyPlot 2D。
六、虚拟晶圆厂
用于执行实验设计（DOE）和优化实验的软件。
1、介绍
Silvaco功能的虚拟晶圆厂®（VWF）软件套件地址通过其使用的试验设计（DOE）的统计设计的这一挑战，快速优化流程的有力工具。作为单变量实验的现代替代方法，DOE克服了逐次逼近实验的信息限制，并迅速提供了所需的理解和结果。优化设计通过允许以较少的实验运行来估计统计模型并促进缩短上市时间，从而降低了实验成本。
Silvaco功能的虚拟晶圆厂®（VWF）用于自动模拟的软件套件可帮助用户大幅降低开发成本，减少芯片学习周期以及错失市场窗口的风险。作为DOE的替代，用户可以利用由若干本地和全局优化策略组成的优化框架来实现预定目标。这将允许用户自动执行任务，例如优化工艺参数或校准模型参数。VWF软件不仅限于运行单个模拟器，还可以结合任何可用的Silvaco模拟工具，允许用户优化全流模拟。为了支持大规模并行操作，可以使用Oracle Grid-engine（OGE）和LSF等网格计算软件。对于可以并行执行多少次模拟几乎没有限制。
2、特征
图形用户界面（GUI）
支持：基于SQL-92的数据库引擎，用于保存XML文件中数据的文件模式，模拟数据的RSM图
导入/导出功能以将数据复制到数据库或从数据库复制数据
通过Oracle Grid Engine和LSF支持大规模并行执行仿真
结果可导出为Excel或OpenOffice电子表格格式
3、优点
VWF可以代表从过程模拟到加速电路性能的整个流程，或者仅仅是流程的一部分
强大的脚本界面允许用户自定义DOE，在后台运行实验，以及计算复杂的优化目标函数
可以从整个流程测量工艺特性（即氧化物厚度），器件特性（即阈值电压）和电路特性（即上升时间）
每个实验变异都可以在主机网络上运行，以缩短仿真时间
可以在实验范围内生成响应模型，然后输入参数可以是橡胶带，以查看对输出响应的影响
输入和测量输出响应的完整工作表可以导出到SPAYN以进行其他统计分析，或导出到TonyPlot以供查看
先进的安全功能，允许细粒度的访问控制
4、应用
VWF附带了许多示例，演示了用户如何最好地利用可用计算硬件集群以及如何自动化多种类型的应用程序，例如：
参数化测试结构的重要几何特征，例如不同层的厚度，间隔物宽度，栅极长度等，并研究对重要器件特性的影响
允许优化算法改变工艺参数，例如栅极氧化物时间和温度或Vt调整注入剂量和能量，以实现目标器件特性，例如给定的阈值电压
从逆变器的gds文件开始，并模拟3D后端处理以提取和分析相应的电容
运行模拟模型参数的全自动校准 - 脚本允许用户将多个模拟运行组合到单个目标中，从而实现最大的灵活性
5、技术规格
支持：
标准DOE实验类型
通过脚本定义自己的DOE类型
DOE从电子表格导入（excel）
各种本地和全球优化策略
Oracle Grid Engine（OGE）和LSF集群计算软件
