2302新功能
1、对复杂性进行建模
几分钟内完成电池热失控设置
随着道路上流通的电动汽车的快速增长，新的安全规则已经在国家层面实施，而且在国际上也制定了关于使用锂离子电池的新联合国安全规则。
此类立法迫使制造和使用电池的主要参与者进行大量昂贵且漫长的测试以获得认证。这导致对仿真的需求不断增加，以降低测试成本并使安全设计在经济上高效。
在Simcenter STAR-CCM+2302中，我们发布了专用工作流程，将电池热失控传播模拟的设置时间从几小时缩短到几分钟。得益于专注的工作流程，您现在可以轻松处理数百或数千个细胞的大包装，同时保持高建模保真度。该工作流程支持使用经验模型直接模拟“失效”电池的外热释放，并且可以作为Simcenter STAR-CCM+电池附加组件的一部分进行访问。
凭借其强大的多物理场功能和全新的专用工作流程，Simcenter STAR-CCM+非常适合研究热失控事件在复杂包装几何体上的传播。Simcenter STAR-CCM+提供了一个全面的解决方案，可以更好地了解这种危险安全事件，并帮助设计包装和缓解措施，从而减少对昂贵测试的需求。
2、使用溢流网格轻松准确地对运动进行建模
借助Simcenter STAR-CCM+2302，您可以更可靠地运行间隙和运动较小的箱子，这要归功于与背景区域的细化水平相匹配的精细覆盖区域
商店分离、阀门、浸涂和许多其他应用涉及移动体，具有小间隙和复杂的流体动力学。为了使用CFD模拟此类复杂应用，重叠网格划分技术与自适应网格细化（AMR）相结合已成为一项关键技术。
借助Simcenter STAR-CCM+2302，我们通过自动细化溢流区域以匹配背景区域的细化级别，更轻松地运行此类情况。小间隙场景将立即受益于新功能，保证有效的网格并确保收敛，而无需任何额外的用户工作。
3、对涉及湿固体材料干燥的新应用进行建模
由于将蒸发模型扩展到DEM相，现在可以使用具有液体蒸发的DEM模拟工业对流烤箱（电池制造过程的一部分）中的电极浆料干燥
化学加工、采矿、钢铁、食品和电池制造行业的许多应用都涉及湿固体的干燥。此类系统的CFD仿真既需要精确预测粒子运动，也需要相应的相变现象。
因此，在Simcenter STAR-CCM+2022.1中，我们引入了用于拉格朗日非DEM颗粒的液-固-气材料，允许对含有固体材料的液滴应用蒸发建模。例如，此功能已成功用于模拟喷雾干燥中的乳滴。
借助Simcenter STAR-CCM+2302，我们将功能扩展到离散元法（DEM）颗粒，允许将蒸发模型应用于DEM相。这使您能够对涉及干燥固体材料的新应用进行建模，其中DEM是首选的粒子动力学方法，可实现DEM颗粒中液体成分的蒸发。
借助新功能，您可以使用湿固相离散元法准确模拟直接对流干燥机（如滚筒干燥机、喷雾干燥机、流化床干燥机或间接传导式干燥机）中的干燥过程。
4、通过ARM支持提高单位价格性能
借助Simcenter STAR-CCM+2302，我们允许您使用高级精简指令集计算机计算机（ARM）CPU技术以更低的成本和能耗运行更大、更快的CFD仿真。
仿真已成为时间和资源高效产品开发的关键因素。虽然CFD仿真的资源密集程度明显低于相应的物理测试，但为了保持竞争力，公司必须更进一步。随着仿真驱动的产品设计量的不断增加，为了获得竞争优势，您必须优化与这些高保真仿真相关的能耗和成本。归根结底，可持续、经济和节能的数字孪生是虚拟产品开发的显著因素和竞争优势。
借助Simcenter STAR-CCM+2302，我们允许您使用高级精简指令集计算机计算机（ARM）CPU技术以更低的成本和能耗运行更大、更快的CFD仿真。
目前，该技术在Linux上受支持，并通过不同的云供应商（如AWS EC2实例或富士通在日本提供的Fugaku超级计算机）提供。
借助ARM支持，我们增加了另一个选项，可以在日益异构的硬件架构环境中运行您的CFD仿真。无论是GPU还是CPU，本地还是云，无论是ARM还是传统CPU，Simcenter STAR-CCM+都能提供多种选项来最大限度地提高您的吞吐量。
5、在GPU上进行更大、更快的模拟
Simcenter STAR-CCM+2302减少了GPU上的内存开销，允许您将更大的型号安装到单个GPU上，从而立即获得性能优势。
通常，可以在GPU上运行的模拟大小受GPU卡的可用内存（RAM）的限制。因此，通过减少给定模拟的内存消耗，您可以将更大的网格安装到单个GPU上。这特别有用，因为当卡“最大化”时可以看到最有效的GPU性能，这意味着在单个卡上安装尽可能多的单元。
为了最大限度地发挥优势，Simcenter STAR-CCM+2302通过更有效地使用AmgX以及升级到CUDA（NVIDIA API）来减少内存开销并提高性能。除了先前版本中GPU现有的性能优势之外，这些增强功能还可以减少高达40%的内存，并将运行时性能提高多达10%。例如，一台具有100GB内存的NVIDIA A80现在可以以混合精度容纳大约60万个修剪过的单元。
通过这些增强功能，我们将继续我们的策略，以支持在GPU上快速高效的CFD仿真，同时保持与基于CPU的结果的一致性。
6、仿真速度提高多达40%，且不计成本
在Simcenter STAR-CCM+2302中，我们为隔离流求解器引入了一种新的非稳态隐式方案：简单一致，即所谓的SIMPLEC。SIMPLEC可为瞬态流的模拟提供显著的加速度，同时获得与SIMPLE相同的精度。
除了新硬件和高性能计算的大规模可扩展性的优势之外，通过更高效的求解器技术加快CFD仿真速度仍然是加快速度的最具成本效益的方法。
在Simcenter STAR-CCM+2302中，我们为隔离流求解器引入了一种新的非稳态隐式方案：简单一致，即所谓的SIMPLEC。
由于解决方案在时间步长内更深入的收敛，SIMPLEC能够显著加速瞬态流动的仿真。借助SIMPLEC，您可以获得与SIMPLE相同的精度，同时减少每个时间步长的内部迭代次数。通过对内部迭代使用基于收敛的停止标准，在应用新的SIMPLEC方案时无需调整。
对于从车辆外部空气动力学到后视镜和HVAC气动声学再到飞机机翼结冰的各种应用，利用SIMPLEC可以减少高达近30%的总周转时间。同时确保SIMPLE和SIMPLEC方法之间结果的一致性。而且无需额外费用。
7、在不损失保真度的情况下加速多阶段仿真
在齿轮箱等应用中，飞溅液滴可能会以越来越小的尺寸分解，直到您无法再将非常小的液滴建模为拉格朗日颗粒。同时，您仍然需要对散装液体的自由表面进行建模。对于此类应用，具有大规模界面的混合物多相建模（MMP-LSI）已成为首选方法。一般来说，MMP-LSI与任何有体积流体（VOF）的地方都相关，但这太昂贵了，并且存在混合物。
但就像VOF一样，如果您无法将流动时间步长的选择与满足由于库朗（CFL）数量限制而导致的体积分数所需的小时间步长所需的时间步分离，MMP-LSI的成本相对较高。为了克服这一挑战，我们之前推出了VOF隐式多步骤，其中仿真速度通常提高3-4倍，在某些情况下甚至高达一个数量级。
在Simcenter STAR-CCM+2302中，我们为MMP-LSI添加了相同的功能。隐式多步骤允许将更大的时间步用于流（不包括体积分数），方法是在流时间步长内多次对体积分数进行子步进。由于CFL约束，这将流动时间步长的选择与体积分数所需的时间步长分离。
8、使用等值线图轻松了解设计空间
借助Simcenter STAR-CCM+2302，您现在可以快速轻松地生成包含两个自变量和一个因变量的性能图。
对于许多应用，例如涡轮机械，CFD是一种非常强大且经济高效的工具，可通过自动扫描生成性能图。这样的映射将立即了解from作为因变量作为多个自变量的函数的性能。
借助Simcenter STAR-CCM+2302，您现在可以快速轻松地生成包含两个自变量和一个因变量的性能图。这将允许您通过等值线图向标准XY图添加信息图层。插值用于绘制等高线，并通过表格支持外部数据的显示，例如来自实验的数据。
借助新功能，您只需单击几下即可深入了解带有等值线的完整性能图。
9、集成访问仿真信息
在Simcenter STAR-CCM+2302中，我们引入了模拟指南。仿真指南允许您将所有相关信息存储在仿真文件中，从而显著提高您的工作效率。结合模拟模板功能，它将把您的生产力提升到新的高度。
在当今复杂的工程世界中，工程师之间的高效协作和共享相关信息比以往任何时候都更加重要。对于仿真工程师来说，浪费时间搜索外部断开连接的资源以获取最新的仿真设置文档或模板化仿真的使用说明是一项巨大的生产力负担。对于CFD仿真，这意味着可追溯的数据和工作流程管理，以及在集成环境中工作的能力，使您能够快速直接地访问所有相关的仿真信息。
在Simcenter STAR-CCM+2302中，我们引入了模拟指南。仿真指南允许您将所有相关信息存储在仿真文件中。直接在仿真文件中添加注释或说明可提高您的工作效率，因为您花费更少的时间查找信息。使用嵌入式编辑器，您可以准确地在需要的地方添加所有相关的元信息：在仿真文件中。编辑器允许您编写文本、格式化、添加图像、创建表格。因此，仿真指南使您能够无缝共享、更新和查看与仿真相关的信息。它可以帮助您的团队协作并建立集体知识。
与Simcenter STAR-CCM+2022.1中引入的模板仿真文件一起，仿真指南将把您的工作效率提升到新的高度：仿真模板作者可以在需要的地方留下详细说明，而模板用户现在可以在CFD环境中利用简化的工作流程说明快速了解设置步骤。
